• 淋浴頭氣流的平面ICP離子源應用于ALD系統

    點擊次數:2561 發布時間:2017-09-14

    繼NANO-MASTER*技術的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應用于NANO-MASTER的刻蝕系統,ICPECVD沉積系統,PA-MOCVD生長系統之后,該ICP離子源順利應用于ALD系統。

    由于該型技術設計的ICP源為平面設計的遠程等離子源,可以在更低電源下達到更高的離子密度,具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優勢,確保了該ALD系統具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短(沉積效率可以達到兩倍以上)的先進性能。此外,可以實現低溫(100度以內)的薄膜生長。

點擊這里給我發消息
 

化工儀器網

推薦收藏該企業網站
韩国a级作爱片_国产系列丝袜熟女精品网站_国产剧情国产精品一区_苍井そら无码av_97人摸人人澡人人人超碰 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>