• 想買一臺新的ICP刻蝕機?那這些配置內容你可要記清楚

    點擊次數:748 發布時間:2020-12-09


        ICP刻蝕機是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統,系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪崿F范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

        ICP刻蝕機主要特點:

        基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統,擁有快速的刻蝕能力;

        配套LabView軟件,菜單驅動,自動記錄數據;

        觸摸屏監控;

        全自動系統,帶安全聯鎖;

        四級權限,帶密碼保護;

        手動上下載片;

        可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式;

        實時顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實時顯示;

        ICP刻蝕機配置內容:

        外觀尺寸:緊湊型立柜式設計,不銹鋼腔體,外觀尺寸為44”(W)x26”(L)x62”(H);

        等離子源:NM-ICP平面電感耦合等離子體源,帶有自動調諧器,激活面積可以達到8”;

        處理腔體:13”的圓柱形超凈腔體,材質為陽極電鍍鋁。晶片通過氣動頂蓋裝載,腔體帶有上載安全鎖,用戶可以通過PC控制,至多可以裝載8個小尺寸基片,可支持的晶圓尺寸為8”。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8”區域的氣體均勻分布。系統帶暗區保護。

        樣品臺:6”的托盤夾具,能夠支持6”的Wafer??梢岳鋮s到-120攝氏度(包含LN2循環水冷系統),并采用He氣實現背部冷卻和自動鎖緊,微精細地控制He氣流量,包含氣動截止閥;

        流量控制:支持6個或更多的MFC’s用于ICP高速刻蝕,帶氣動截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,所有導管以盡可能短的導軌密封設計,從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結束后,采用N2自動沖洗。

        真空系統:泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。

        RF電源:13.56MHz,帶自動調諧功能的1200W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動調諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。

        操作控制:整個系統通過預裝的LabView軟件和觸摸監控系統,實現PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,都可PC控制。系統的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數字形式顯示。系統提供密碼和安全連鎖機制的四級權限控制。
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