• 進口雙模式刻蝕機的主要特點

    點擊次數:2379 發布時間:2016-03-29

        進口雙模式刻蝕機全自動上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統,帶8" ICP源。系統可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下,系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

        進口雙模式刻蝕機主要特點:
        基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統,擁有高縱橫比的刻蝕能力;
        配套Lab View軟件,菜單驅動,自動記錄數據;
        觸摸屏監控;
        全自動系統,帶安全聯鎖;
        四級權限,帶密碼保護;
        自動上下載片;
        帶Load Lock預真空鎖;
        He氣背面冷卻,-60攝氏度的低溫樣品夾具;
        高達-1000V的外部偏壓;
        渦輪分子泵 渦旋干泵;
        可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式;
        實時顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實時顯示;

        進口雙模式刻蝕機配置內容:
        外觀尺寸:緊湊型立柜式設計,不銹鋼腔體,外觀尺寸為28”(W) x 42”(L) x64”(H);
        等離子源:NM ICP平面等離子源,帶淋浴頭氣體分布系統。等離子源安裝在腔體頂部,通過ISO250的法蘭連接;
        處理腔體:13”圓柱形鋁質腔體,自動上下載片,zui大支持6”(可以升級腔體支持更大基片)。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8”區域的氣體均勻分布。系統帶暗區保護。
        樣品臺:6”的托盤夾具,能夠支持6”的Wafer??梢岳鋮s到-120攝氏度(包含LN2循環水冷系統),并采用He氣實現背部冷卻和自動鎖緊,微精細地控制He氣流量,包含氣動截止閥;
        流量控制:支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕,帶氣動截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,所有導管以盡可能短的導軌密封設計,從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結束后,采用N2自動沖洗。
        真空系統:泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。
        RF電源:13.56MHz,帶自動調諧功能的1000W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動調諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。
        操作控制:整個系統通過預裝的Lab View軟件和觸摸監控系統,實現PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,都可PC控制。系統的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數字形式顯示。系統提供密碼和安全連鎖機制的四級權限控制。
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