• ICP刻蝕機先行一步,走在國產替代前列
    點擊次數:1196 發布時間:2020-05-14
      ICP刻蝕機作為核心刻蝕工藝設備,其工藝表現將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率,憑借其優良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術優勢,
     
      隨著半導體工藝技術的發展,濕法刻蝕由于其固有的局限性,已不能滿足超大規模集成電路微米、甚至納米級細線條的工藝加工要求,干法刻蝕逐漸發展起來。在干法刻蝕中,感應耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡稱ICP)刻蝕法由于其產生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側壁垂直度高以及光潔度好,逐漸被廣泛應用到半導體工藝技術中。
     
      ICP刻蝕機的基本原理是在真空低氣壓下,ICP射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電,產生高密度的等離子體,在下電極的RF射頻作用下,這些等離子體對基片表面進行轟擊,基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發性物質,以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走。
     
      現代半導體工藝對刻蝕的要求越來越高,ICP刻蝕設備滿足了這種需求。為保證工藝的穩定性、重復性,設備的穩定性是關鍵因素之一。熟練掌握ICP刻蝕機的原理與組成構造,掌握影響ICPE工藝的各方面因素,可以極大的縮短設備故障后的修復時間。另外,定期對設備進行保養也是保證設備穩定的一個重要手段。
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