• 產品名稱:NLD-3500(A)全自動原子層沉積設備

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    產品特點:NLD-3500(A)全自動原子層沉積設備:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性,可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

    NLD-3500(A)全自動原子層沉積設備的詳細資料:

    NLD-3500(A)全自動原子層沉積設備概述:原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術,具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性,可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

    NLD-3500(A)全自動原子層沉積設備特點:NLD-3500(A)是一款全自動獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統,帶Labview軟件,具備四級密碼控制的用戶授權保護功能。系統為全自動的安全互鎖設計,并提供了強大的靈活性,可以用于沉積多種薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。NLD-3500(A)系統提供12”的鋁質反應腔體,帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋,非常方便腔體的訪問和清潔。該系統擁有一個載氣艙包含多達750ml的加熱汽缸,用于前驅體以及反應物,同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

    NLD-3500(A)選配:NLD-3500(A)系統的選配項包含,ICP離子源(用于等離子增強的PEALD),臭氧發生器,等等。

    NLD-3500(A)應用:

    • Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
    • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
    • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
    • Nano laminates納米復合材料

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